[삼성전기] 1nside Edge 논문대상 공모

■ 응모자격
  -  국내외 재학중인 대학 및 대학원생
      (Post-Doc, 외국인 포함)

■ 응모분야 및  세부주제

  (1) 소재기술 분야

      고분자, 세라믹, 형광체, 복합재료, LTCC, 나노, 분산, MEMS, 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로,

      가공, bumping 등), 수동/능동소자 내장 기판, Supercapacitor

  (2) 무선 분야
      Analog & Digital IC Design, Wireless Communication Systems, Wireless Network Protocol Design and

      analysis, SoC for wireless application, Ad Hoc and Sensor Network

  (3) 전력전자 분야
      Display Power용 전력전자 기술, 대용량/고밀도 SMPS용 전력전자 기술, 신재생 에너지용 전력전자 기술, 

      열 / EMI/EMC 설계기술, SMPS 고효율 Topology 및 제어기술, SMPS Simulation Technology, 고밀도 트랜스  

      설계기술, Slim 및 고밀도 Power 기술, Digital Power 기술, Power ASIC Circuit Design 기술

  (4) 기반기술 분야
      열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, 재료 해석, 분자모델링,

      Multi-Physics 해석, Multi-scale 해석, Molecular dynamics simulation

      나노 형태/성분 표면 분석, 유기/무기 화학 정량 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석,

      레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 원자 탐침 분석 및 전자현미경 등

      신 나노분석 평가법 개발, Bio chip

  (5) 생산기술 분야
      Electronic Packaging / Test, Plating, MCC (Micro Contamination Control) 기술, Yield / Failure Analysis ,

      Visual Inspection, 지능 제어, 초정밀제어(위치, 속도, 토크), 광학계 설계 및 계측, 렌즈 설계 및 금형,

      나노 가공(극소형 금형기술, 미세형상 성형기술), lithography, laser 가공, 전기/전자 계측


■ 시 상 특 전  

   대 상 (1편)  700만원 - 박사 : 입사를 원하는 경우 입사 후 해외 Post-Doc지원 (1년)

                         석/학사 : 대여 장학생 자격 부여
   금 상 (1편)  500만원 수상자 중 입사시 가점 부여
   은 상 (1편)  300만원 수상자 중 입사시 가점 부여
   동 상 (5편)  100만원 수상자 중 입사시 가점 부여
  
■ 일정
  - '09. 06. 29(월) : 논문 제목 및 초록 접수 마감 (삼성전기 홈페이지 www.sem.samsung.co.kr 등록)
  - '09. 07. 10(금) : 1차 초록심사 결과 발표
  - '09. 09. 14(월) : 2차 최종 논문 접수마감
  - '09. 10. 05(월) : 2차 논문 심사 결과 발표
  - '09. 10. 28(수) : 차 발표 심사 및 결과 발표 (시상식 일정은 추후 공지 예정)
  
■  연락처
  - 삼성전기 1nside Edge 논문대상 사무국
    Tel : 031)300-7689          E-mail :inside_edge@samsung.com